SLD超辐射发光二极管

SLD超辐射发光二极管是一种兼具激光二极管高亮度与LED宽光谱特性的半导体光源。其工作原理基于受激辐射放大，但通过特殊结构设计抑制光学谐振，从而避免形成激光振荡。SLD通常采用脊形波导或倾斜波导、抗反射涂层端面等技术，使光在有源区内单程放大后输出，不产生明显的纵模结构，因此具有高输出功率、低相干性和宽光谱带宽的特点。
SLD的典型光谱宽度为20–100 nm，远大于激光器（<5 nm），而输出功率可达数毫瓦至数十毫瓦，显著高于普通LED。这种“高亮度+低相干”的特性使其在对相干噪声敏感的应用中具有独特优势。目前，SLD主要基于InGaAs/GaAs（近红外800–1000 nm）、InGaAsP/InP（通信波段1300–1550 nm）等材料体系，通过分子束外延或金属有机化学气相沉积精确控制量子阱结构，以优化增益与带宽。
SLD*核心的应用领域是光学相干断层扫描（OCT），尤其在眼科和心血管成像中，其宽光谱可实现微米级轴向分辨率，而低相干性有效抑制散斑噪声。此外，SLD还广泛用于光纤陀螺仪（作为宽带光源降低背向散射误差）、传感系统（如白光干涉测量）、器件测试及生物医学成像等场景。
尽管SLD性能y越，但其制造工艺复杂、成本较高，且对温度敏感，需配备温控模块。近年来，随着集成光子学发展，片上SLD、宽带多段SLD及覆盖可见光至中红外波段的新结构不断涌现。未来，SLD有望在高分辨率成像、量子传感和先进光通信中发挥更重要作用，成为连接传统LED与激光器之间的重要桥梁。
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